Русский
EnglishУДК:
624.159
DOI:
10.23968/1999-5571-2018-15-1-68-74
Страницы:
68-74
Аннотация:
Проводится анализ преимуществ и недостатков траншейной «стены в грунте». Рассматривается численное моделирование работы «стены в грунте» в качестве ограждения котлованов и несущей конструкции зданий в инженерно-геологических условиях Санкт-Петербурга. Представлено сравнение результатов расчетов, полученных в ПК ЛИРА и ПК Plaxis.
Список цитируемой литературы:
- Ильичев В. А., Мангушев Р. А. Справочник геотехника. Основания, фундаменты и подземные сооружения: 2-е изд., доп. и перераб. / под общ. ред. В. А. Ильичева и Р. А. Мангушева. М.: АСВ, 2016. С. 709-717
- Шулятьев О. А., Мозгачева О. А., Поспехов В. С. Освоение подземного пространства городов. М.: АСВ, 2017. С. 42-44
- Мангушев Р. А., Никифорова Н. С., Конюшков В. В., Осокин А. И., Сапин Д. А. Проектирование и устройство подземных сооружений в открытых котлованах. М.: АСВ, 2013. С. 54-68
- Мангушев Р. А., Сахаров И. И., Конюшков В. В., Ланько С. В. Сравнительный анализ численного моделирования системы «здание-фундамент-основание» в программных комплексах SCAD и PLAXIS // Вестник гражданских инженеров. 2010. № 3 (24). С. 96-101
- Сапин Д. А. Осадки фундаментов зданий соседней застройки при устройстве траншейной «стены в грунте» // Жилищное строительство. 2015. № 4. С. 8-13
- Шулятьев О. А., Минаков Д. К. Технологические осадки при устройстве стены в грунте траншейного типа // Вестник Пермского нац. исслед. политехн. ун-та. Строительство и архитектура. 2017. № 3 (8). С. 41-50
- Мангушев Р. А., Веселов А. А., Конюшков В. В., Сапин Д. А. Численное моделирование технологической осадки соседних зданий при устройстве траншейной «стены в грунте» // Вестник гражданских инженеров. 2012. № 5 (34). С. 87-98
- Мангушев Р. А., Веселов А. А., Сапин Д. А. Влияние формы сечения конструкции «стена в грунте» на дополнительную осадку соседних зданий // Вестник гражданских инженеров. 2012. № 6 (35). С. 71-77
Ключевые слова: